OPTIMAL APPLICATION POSSIBILITIES OF THREE-BARRIER PHOTODETECTORS BASED ON GALLIUM ARSENIDE IMPURITIES IN ADVANCED TECHNOLOGIES

Authors

  • 1 Zoirova L., 2 Mukhammadieva M. 1 Navoi University of Innovations, Associate Professor 2 Navoi University of Innovations, Lecturer

Keywords:

Gallium arsenide, three-barrier structure, photodiode, impurity, photosensitivity, barrier, p-n junction, spectral range, electrophysical characteristics.

Abstract

This article presents the potential applications of three-barrier photodiode structures based on gallium arsenide, their use in advanced technologies, communication lines, and mobile communication systems. Various structural modifications and their types are discussed.

Downloads

Download data is not yet available.

References

Fundamentals of optical liber communications. Edited by M.K.Bamosci. Academic Press, inc. New York, 1976. p.230.

Каримов А.В., Ёдгорова Д.М. Физические явления в арсенидгаллиевых структурах с микрослойным квазипериодическим переходом. Изд.Фан, Ташкент, 2005. С.115-117.

Арипов Х.К., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Зоирова Л.Х., Абдулхаев О.А. Optic-electrical switches on the basis of modernized multifunctional photodiode structures. // 2-Интернациональная конференция по оптической и беспроводной связи 11-16 сентября 2006. -Ташкент, 2006. -С.56.

Зоирова Л.Х. Влияние электрического поля на спектральную чувствительность трехбарьерной структуры. // УФЖ, 2008. -V10. -№4-5. С.323-328.

Х.Кейси, М.Паниш. Лазеры на гетероструктурах. Изд.Мир, Москва, 1981. В 2-х томах. Том 1, -С.226.

Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Саидова Р.А., Зоирова Л.Х. Механизмы токопрохождения в гетеро m1-pAlGaInAs-nGaAs-m2-структуре. // Интернациональная конференция: Неравновесные процессы в полупроводниках и в полупроводниковых структурах 2007. -Ташкент, 2007. -С.179-181.

Ёдгорова Д.М. Ашрапов Ф.М. Фотоэлектрические характеристики микрослойных фотодиодных pAlGaInAs(Zn)-nGaAs-Au-структур. ИФЖ, 2008. -Т.80. -№1. -С.166-172.

Downloads

Published

2025-10-31 — Updated on 2025-11-04

Versions

How to Cite

1 Zoirova L., 2 Mukhammadieva M. (2025). OPTIMAL APPLICATION POSSIBILITIES OF THREE-BARRIER PHOTODETECTORS BASED ON GALLIUM ARSENIDE IMPURITIES IN ADVANCED TECHNOLOGIES. International Multidisciplinary Journal for Research & Development, 12(10), 707–712. Retrieved from https://www.ijmrd.in/index.php/imjrd/article/view/3950 (Original work published October 31, 2025)

Issue

Vol. 12 No. 10 (2025): International Multidisciplinary Journal for Research & Development

Section

Articles

License

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.