OPTIMAL APPLICATION POSSIBILITIES OF THREE-BARRIER PHOTODETECTORS BASED ON GALLIUM ARSENIDE IMPURITIES IN ADVANCED TECHNOLOGIES
Abstract
This article presents the potential applications of three-barrier photodiode structures based on gallium arsenide, their use in advanced technologies, communication lines, and mobile communication systems. Various structural modifications and their types are discussed.
Keywords
Gallium arsenide, three-barrier structure, photodiode, impurity, photosensitivity, barrier, p-n junction, spectral range, electrophysical characteristics.
References
- Fundamentals of optical liber communications. Edited by M.K.Bamosci. Academic Press, inc. New York, 1976. p.230.
- Каримов А.В., Ёдгорова Д.М. Физические явления в арсенидгаллиевых структурах с микрослойным квазипериодическим переходом. Изд.Фан, Ташкент, 2005. С.115-117.
- Арипов Х.К., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Зоирова Л.Х., Абдулхаев О.А. Optic-electrical switches on the basis of modernized multifunctional photodiode structures. // 2-Интернациональная конференция по оптической и беспроводной связи 11-16 сентября 2006. -Ташкент, 2006. -С.56.
- Зоирова Л.Х. Влияние электрического поля на спектральную чувствительность трехбарьерной структуры. // УФЖ, 2008. -V10. -№4-5. С.323-328.
- Х.Кейси, М.Паниш. Лазеры на гетероструктурах. Изд.Мир, Москва, 1981. В 2-х томах. Том 1, -С.226.
- Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Саидова Р.А., Зоирова Л.Х. Механизмы токопрохождения в гетеро m1-pAlGaInAs-nGaAs-m2-структуре. // Интернациональная конференция: Неравновесные процессы в полупроводниках и в полупроводниковых структурах 2007. -Ташкент, 2007. -С.179-181.
- Ёдгорова Д.М. Ашрапов Ф.М. Фотоэлектрические характеристики микрослойных фотодиодных pAlGaInAs(Zn)-nGaAs-Au-структур. ИФЖ, 2008. -Т.80. -№1. -С.166-172.
Downloads
Download data is not yet available.